TSM055N03EPQ56 RLG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

TSM055N03EPQ56 RLG

Product Overview

Κατασκευαστής:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

TSM055N03EPQ56 RLG-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)

Αποθέμα:

135 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12899883
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

TSM055N03EPQ56 RLG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Taiwan Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1210 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
74W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PDFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
TSM055

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
TSM055N03EPQ56RLGDKR
TSM055N03EPQ56 RLGDKR-DG
TSM055N03EPQ56 RLGTR-DG
TSM055N03EPQ56 RLGDKR
TSM055N03EPQ56 RLGTR
TSM055N03EPQ56RLGCT
TSM055N03EPQ56 RLGCT
TSM055N03EPQ56 RLGCT-DG
TSM055N03EPQ56RLGTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMP3010LPS-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2250
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMP3010LPS-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.37
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
GSFP0380
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Good-Ark Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
GSFP0380-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC060P03NS3EGATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
10343
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC060P03NS3EGATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.43
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

MMBF170Q-7-F

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

diodes

DMN3027LFG-7

MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8

taiwan-semiconductor

TSM120N06LCP ROG

MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252

taiwan-semiconductor

TSM680P06CH X0G

MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251